| 授業の目標と概要 |
| 現代のエレクトロニクスを支えるのは，トランジスタ，集積回路やセンサー等に代表される半導体デバイスであ |
| る。半導体デバイスの動作を理解し，新半導体デバイスを開発するには半導体物性を理解する必要がある。以上の視 |
| 点にたって具体的な例題を中心とした半導体物性の基礎を講義する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 本講義の基本知識として基礎電子量子工学，電子物性I・IIの内容を理解した上で，半導体材料の基本的な物性理論か |
| ら，電子デバイスまで電子物性・デバイス分野の専門性の高い学習内容となっている。 |
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| １．授業の概要説明，電子工学の復習，量子論の概説 |
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| ２．量子力学（シュレディンガー方程式の導出と説明） |
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| ３．固体物理の基本課題 |
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| ４．半導体の結晶構造（結合状態SP混成軌道） |
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| ５．ブラッグ反射，逆格子 |
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| ６．X線とXRD装置の説明（装置見学） |
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| ７．結晶の電子状態I |
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| ８．結晶の電子状態II |
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| ９．エネルギー帯構造と材料の種類（金属，絶縁体，半導体） |
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| １０．半導体の光学特性とバンドギャップ |
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| １１．不純物半導体とキャリア，半導体の電気伝導 |
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| １２．半導体接合理論，電子デバイス |
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| １３．集積デバイスとまとめ |
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| １４．半導体物性の演習課題 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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半導体物性（菅野卓雄，電気学会），半導体物性（小長井誠，培風館）
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| 履修上の注意 |
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基礎電子量子工学，電子物性I・Ⅱの内容を十分に理解していること。
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| 評価基準 |
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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