| 授業の目標と概要 |
| 本講義では、電子物性の基礎を学び、その基本材料である「半導体」について基本的事項を習得することを目標と |
| する。また、半導体を活用したLED、レーザ等のさまざまな電子デバイス、最先端の製造技術についても理解する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電子デバイス・物性分野の専門基礎科目であるとともに物性分野に興味を持ってもらうための導入科目である。本 |
| 科目で学んだ基礎的事項は、4年次の電子物性Ⅰ・Ⅱ、5年次の電子物性工学、半導体物性、集積デバイス工学、光エ |
| レクトロニクスを学ぶ上で重要である。 |
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| １．講義のガイダンス(本科目を学ぶ意義と他科目との連携について) |
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| ２．半導体について |
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| ３．半導体の特性 |
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| ４．エネルギーバンド構造 |
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| ５．シリコンについて |
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| ６．N型半導体、P型半導体について |
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| ７．PN接合 |
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| ８．ダイオード |
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| ９．トランジスタ |
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| １０．様々な半導体デバイス |
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| （１） 半導体デバイスの種類 <BJT，MOSFET，化合物半導体，太陽電池，メモリ，LSI> |
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| （２）発光ダイオード（LED）<赤色LED，青色LED，緑色LED，白色LED> |
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| （３）フォトダイオード <フォトカプラ，光複合デバイス> |
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| （４）半導体レーザ <光通信，青色半導体レーザ，CD，DVD，BD> |
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| （５）太陽電池 <太陽電池の原理と構造，開放電圧，光電流，太陽電池の分類> |
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| （６）半導体センサ <圧力センサ，加速度センサ，磁気センサ，イオンセンサ，指紋センサ> |
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| （７）イメージセンサ <CCD，CMOS，デジタルカメラ> |
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| （８）半導体メモリ <ROM，RAM，DRAM，SRAM，フラッシュメモリ，FRAM，MRAM，ICカード> |
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| 教科書 |
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書名：図解雑学 最新 半導体のしくみ、著者：西久保靖彦、出版社：ナツメ社
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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授業の予習復習、演習問題に対して自学自習により取り組むことが必要である。
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| 評価基準 |
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教科書レベルの問題を６０％以上理解していること。また、毎回、授業の予習課題を提出してもらい、その出来具合も授業評価に含める。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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