国立東京工業高等専門学校 シラバス 国立東京工業高等専門学校トップページへ戻る シラバス 閲覧戻る
教科目名
特別研究Ⅱ(個表12)
Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering
担 当 教 官 一戸隆久
学年、学科等 2年 専攻科電気電子専攻 実験
単位数 期間 必修 12 単位 通期 (合計 540 時間)
授業の目標と概要
情報・通信・回路・制御、電子材料・デバイス、エネルギーなどの基本的な知識・技術を基に、電気電子工学とその
応用分野であるプラズマ工学を理解し、演習・実習を通じて応用技術を学修する。プラズマプロセスを用いた薄膜材
料創成技術の特長を理解し、問題解決のために必要な知識・技術の調査能力を修得し、実験的に検証するための分析
能力を育成する。また、学修内容のプレゼンテーションを通じて思考を深める討論のスキルや問題点の抽出能力を習
得し、修了後も自ら学び続けていく能力を養う。
カリキュラムにおける位置づけ
本科5年次の卒業研究、専攻科1年次の特別研究Ⅰおよび専攻科2年次前期開講のプラズマ工学でそれぞれ学修した電
気電子工学に関する総合的な研究開発能力を育成するため、担当教員のもとで特別研究Ⅱを学修総まとめ科目として
通年で行う。
授業の内容
【課題】
 荷電粒子を用いた薄膜材料創成に関する研究
【概要】
 新しい機能性・特性を有する電子材料の開発には、その製造技術の発展により元素の組み合わせのみならず、表面
加工・改質によりその物性を制御し、さらに新しい物性を引き出す探求が進められている。本科目では最先端の論文
を引用しながら問題点や課題を調査・抽出し、その解決に向けてプラズマ、イオン、電子などの荷電粒子を用いた薄
膜材料の結晶性制御、組成制御を実験的に行い、基本的な薄膜材料評価技術を用いて薄膜材料を分析し、取り組む課
題について検証する。
【キーワード】
 荷電粒子(プラズマ、イオン、電子)、薄膜形成技術、薄膜材料、薄膜評価技術
【計画】
・学生は専攻科1年次の特別研究Ⅰで興味のあるテーマを選択し、研究を遂行し、1年次の特別研究Ⅰを継続して1
年間にわたりその分野を専門とする担当教員から特別研究Ⅱの指導を受ける。授業は学生が主体的にPDCAサイクルを
回すことにより進められる。
・特別研究Ⅱの前期授業時間割を設定する。(4月)
・取り組むテーマの内容、特にその背景や具体的な問題点を把握する。(20時間)
・具体的な問題解決手法、評価方法、および実験方法について理解し、計画的に実行する。(50時間)
・研究を進める上で必要な実験装置・分析機器の使用法について理解し、適切に操作し使用する。(50時間)
・期待通りの成果が得られなかった場合、その原因を考察し、新たな問題解決方法、評価方法、および実験方法につ
いて理解し、実行する。(110時間)
・特別研究Ⅱ中間発表の準備(6月頃)(30時間)
・特別研究Ⅱ中間発表会で要旨を提出し、成果発表を行う。発表形式は学会の講演形式に準じたものとする。(6月
頃)(10時間)
・特別研究Ⅱの後期時間割を設定する。(10月)
・特別研究Ⅱ中間発表会で指摘された内容および未着手の課題について、実験および考察を計画的に遂行する。(20
0時間)
・特別研究Ⅱ最終発表の準備(1~2月)(30時間)
・特別研究Ⅱ最終発表会で要旨を提出し、成果発表を行う。発表形式は学会の講演形式に準じたものとする。(1~2
月)(10時間)
・特別研究Ⅱ論文を提出し、指導教員の査読を受ける。修正が必要な場合は修正後の論文を提出し再度査読を受け
る。(1~2月)(25時間)
・最終発表の英文概要は英語科教員と担当教員が共同で指導する。(5時間)
 

(続き)
教科目名
特別研究Ⅱ(個表12)
Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering
教科書
特別研究担当教員による.
補助教科書
履修上の注意
専攻科1年次の特別研究Ⅰを履修していること.
評価基準
「研究の達成度と研究室での研究態度評価書」,「特別研究論文報告書」,「発表と要旨集」ごとに評価を行い,それぞれの評価について60%以上の評価を得た者をこの科目の合格者とする.
評価法
研究の達成度と態度,発表と要旨集,特別研究論文
学習・教育目標 東京高専
C-2,C-3,C-7,C-8,C-9,C-10,C-11,C-12,C-13,D-5
JABEE
(c)(d)(e)(h)