| 授業の目標と概要 |
| エレクトロニクスの基本となす半導体デバイス技術は電子材料固有の性質を応用できる半導体材料の作製が要求さ |
| れている。電子プロセス工学では主にシリコン半導体材料の作製技術を紹介しながら、電子材料の作製方法が基にな |
| っている物理的・化学的な考え方を重要視して解説する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電気電子工学の中でも，半導体工学における電子デバイスの応用プロセス技術の内容であり，電子デバイスの基礎知 |
| 識を十分学んだ者が受講する専門性の高い講義として位置づけられる。 |
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| １．シリコン半導体と集積回路の概要 |
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| 半導体の歴史，集積回路の作成工程 |
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| ２．シリコン基板作製技術 |
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| 結晶引き上げ法，ブリッジマン法，FZ法，形成加工，VPE，LPE，MBE，SOI基板 |
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| ３．酸化膜作製技術 |
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| 熱酸化法，湿式酸化，乾燥酸化，CVD法，SiO2膜，SiN膜，p-Si膜，PVD法，AL電極，シリサイド |
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| ４．不純物作成技術 |
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| 拡散法，イオン注入法，アニール， |
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| ５．フォトリソグラフィー技術とエッチング技術 |
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| フォトリソグラフィー，露光法，フォトレジスト，エッチング，ドライエッチング， |
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| ６．集積回路技術とデバイス |
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| 抵抗，キャパシタ，バイポーラトランジスタ，MOSFET，DRAM |
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| 適宜，課題等を出題し，レポート提出，プレゼン等を行う。 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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「半導体デバイス」S.M.Sze, 「ULSIデバイス・プロセス技術」電子情報通信学会
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| 履修上の注意 |
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電子工学，半導体工学などの材料系の工学基礎知識が必要である．また，授業プリント以外に各自で書籍等を調べ，自学自習で学ぶことが必要である．
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| 評価基準 |
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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