国立東京工業高等専門学校 シラバス 国立東京工業高等専門学校トップページへ戻る シラバス 閲覧戻る
教科目名
電子材料
担 当 教 官 永吉 浩
学年、学科等 4年 電子工学科 通常講義
単位数 期間 必修 1 単位 後期 週2時間 (合計 30 時間)
授業の目標と概要
 半導体を中心にした電子材料に関わる物性論の基礎を学習し、さらに実験を含めることにより各種電子材料、半導
体材料の性質を体験的に学習する。
カリキュラムにおける位置づけ
固定電子工学の電子論的な理論と平行して半導体を電子材料という見地から理解するとともに、各種実験を通じて半
導体の基本的な性質を体験する。
授業の内容 時間
1.結晶構造、結晶成長の基礎、半導体の材料的性質 8
2.各種物性評価法の概説(表面分析、構造解析、光学的評価法、他) 4
3.各種材料の導電率、導電率の温度依存性 2
4.半導体のpn判定、光導電率 2
5. 拡散層を形成したシリコンチップの特性評価 2
6.各種ダイオードの性質、半導体開発の歴史、プロセス技術 6
7.光起電力、太陽電池 2
8.ホール効果 2
9.偏光 2
実際のSiチップに触りながら様々な実験を体験し、半導体に関する理解を深める。
*いろいろな結晶構造・成長の理論解説と結晶シリコンのへき開体験。
*金属、半導体導電率の温度依存性の違いを理解する。拡散層を設けたシリコンチップの特性評価と講義を
 通じて半導体の基礎理論を理解し、実験結果を説明できる。
*種々の物性評価方法の基礎について理解する。
*オシロスコープ上にIV特性を表示しながら各種ダイオード特性、光起電力特性を直接的に観測する。
 ショットキーダイオードの光起電力特性、LEDを受光素子として用いた太陽電池特性の評価を通じ理論との
 比較により太陽電池、エネルギーギャップに関する理解を深める。
*点接触ダイオードの作製実験を通してトランジスタ発展の歴史的展開、基礎理論について理解を深める。
*永久磁石でホール効果の生じることを経験する。
*偏光に関する各種実験を通じて光の性質に関する理解を深める。
   
   
   
   
   
   
教科書
必要に応じてプリントを配布する。
補助教科書
履修上の注意
 化学、物理、基礎電子工学Ⅱ等の教科目の理解を深めておくこと。授業の予習・復習及び演習については自学自習により取り組み学修すること。」
評価基準
各種実験結果をバンド図等を用いて的確に説明できること。得られた実験結果を元にオリジナルな応用回路を設計すること。
評価法
レポートなど100%
学習・教育目標 東京高専
C-4,C-5,C-6
JABEE
(c)(d)