教科目名
集積デバイス工学
LSI Technology
担 当 教 官
：
伊藤 浩、荒川 富行
学年、学科等
：
5年
電気工学科
通常講義
単位数 期間
：
選択
1 単位
前期
週2時間
（合計 30 時間）
授業の目標と概要
電子デバイスおよび集積回路の基本的な動作原理を理解すると共に入門レベルの知識を得ることを目標とする。バ
イポーラトランジスタやＭＯＳトランジスタ、論理回路、メモリ等集積回路のデバイス構造と動作原理、製造プロセ
スを中心に学習する。
カリキュラムにおける位置づけ
電子物性、半導体工学、電子デバイス工学の応用と位置づけられる。
授業の内容
時間
１． 集積回路に用いられる半導体デバイスの基本
30
バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタの動作原理
２． 集積回路の要素プロセス技術
酸化、拡散、イオン注入技術、リソグラフィ技術、成膜技術
３． 集積回路の製造工程
素子分離、多層配線技術、バイポーラ集積回路、MOS集積回路
４． CMOSディジタル集積回路の基本回路
CMOS集積回路、ゲート回路
５． メモリ集積回路の基本回路
DRAM、フラッシュメモリ
６． プロセス・デバイス・回路シミュレーションの基礎
シミュレーション概要
７． パッケージングと実装
セラミックパッケージ、ベアチップ実装
８． 集積回路の信頼性
ゲート酸化膜の劣化、ホットキャリア耐性
（続き）
教科目名
集積デバイス工学
LSI Technology
教科書
「集積回路」編著：石田 誠、発行所：オーム社
補助教科書
集積回路の秘密（上西勝三）日本理工出版会
履修上の注意
電子物性I、II、アナログ回路I、II、ディジタル回路で履修した半導体物性および電子回路の基本を理解しておくこと。
評価基準
教科書の内容を十分理解し、章末問題レベルを６０点以上とれること
評価法
レポートなど100%
学習・教育目標
東京高専
C-6
JABEE
(d)
