| 授業の目標と概要 |
| 本講義では、半導体の結晶構造からバンド構造などの基本的な固体物理、さらには半導体の電気的・光学的性質に |
| ついて理論的に学ぶ。半導体特有の現象を定性的に理解した上で、定量的に捕らえる基礎理論を学ぶことを目的にす |
| る。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電子物性・デバイス分野の専門科目で，半導体物理の基礎を学ぶ．３年次の基礎電子量子工学，４年次の電子物性 |
| Ⅰ，Ⅱで学んだ知識を基盤にした講義内容となっていてる。 |
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| １．講義の内容説明，電子物性基礎の復習 |
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| ２．固体物理の基礎 |
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| ・半導体の結晶構造 |
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| ・エネルギーバンド構造とキャリア密度 |
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| ３．半導体の電気物性 |
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| ・電気伝導 |
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| ・電子散乱 |
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| ・高電界効果 |
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| ・半導体デバイスの物理 |
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| ４．半導体の光物性 |
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| ・半導体の光吸収 |
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| ・半導体発光の物理 |
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| ・半導体における非線形光学 |
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| ５．半導体の熱電物性 |
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| ・ゼーベック効果 |
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| ・ペルチェ効果 |
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| ・熱発電と電子冷凍 |
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| ※講義中に課題を出し，レポートを提出する。また，調べてきたことを発表する。 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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半導体デバイス（S.M.Sze，産業図書），半導体物性（小長井誠，培風館）
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| 履修上の注意 |
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電子物性I,IIの内容を復習しておくこと。また，授業で理解できなかった内容については自学自習により学習しつつ講義に挑むこと。
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| 評価基準 |
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講義プリント，課題レポートの理解度が６０％以上であること。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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