| 授業の目標と概要 |
| LSIが発展してきた背景には、製造プロセス技術および機器の改善、新方式の開発など |
| 周辺技術の発達に支えられたことが挙げられる。 |
| 本授業ではそのLSI製造プロセス技術を中心に、基本的な技術の原理からその複合技術 |
| への発展について講義する。LSIの基本的な要素技術及び集積化のための複合プロセス |
| 技術について理解することを目標とする。 |
|
| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電子回路I・II、固体電子工学I・IIと関連する。 |
|
|
|
| 1. 本科目の概要説明 |
1 |
|
|
| 2. 集積回路の誕生からLSIへ |
2 |
|
|
| 3. LSI材料技術(ウェハーから薄膜材料について) |
4 |
|
|
| 4. 基本プロセス技術(酸化、拡散、リソグラフィ、エッチング、成膜、平坦化) |
12 |
|
|
| 5. 集積化プロセス技術(微細加工、素子分離、プラグ、多層配線) |
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 教科書 |
|
電子情報通信レクチャーシリーズ｢VLSI工学(製造プロセス編)｣ 角南英夫著 (コロナ社)
|
|
| 補助教科書 |
|
| 履修上の注意 |
|
半導体や電子デバイスの基礎知識を有すること、または自ら学ぶ意欲があること。
授業の予習・復習及び演習については自学自習により取り組み学修すること。
|
|
| 評価基準 |
|
レポートと期末試験により評価し、LSIの基本的な要素技術及び集積化のための複合プロセス技術についての内容を理解していることを基準とする。
|
|
| 評価法 |
|
| 学習・教育目標 |
東京高専 |
|
JABEE |
|
