国立東京工業高等専門学校シラバス

教科目名	電気電子工学特別研究（２年） Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering

担当　教官	：	全　員
学年、学科等	：	2年	専攻科電気電子専攻		実験
単位数　期間	：	必修	12 単位	通期	（合計 540 時間）

授業の目標と概要

　電気電子工学における高度な研究課題に取り組み、研究開発能力を養う。

課題発掘能力、問題解決能力、創造性等を身に付ける。

カリキュラムにおける位置づけ

　本科５年次の卒業研究の経験を活かして、より専門性の高い研究テーマに取り組む。

研究を遂行していく中で実践的なエンジニアに必要なスキルや心構えを身につける。

授業の内容

・伊藤彰：「電磁波伝搬・散乱現象の数値解析」

　電磁波が真空中や物質中を伝わる現象と物体によって電磁波が散乱される現象を数式で表現し、それらの数値解によっ

て具体的な物理量を求める。その定式化の手法と種々の数値解法についても修得させる。

・土井淳：「電力・エネルギー分野のシステム技術に関する研究」

　電力ネットワークの制御、地球温暖化防止策の検討、電力系統解析支援システムの開発、エネルギー・環境教育のWeb

コンテンツの開発など、電力システム技術およびエネルギーマネジメント技術に関する研究に取り組む。

・松井義弘：「サーボモータを用いた位置決めシステムの整定時間短縮」

　機械系の剛性不足による共振や非線形摩擦等、サーボモータを用いて位置決め制御する上での課題にロバスト制御、適

応制御など最近の制御理論を応用し、可能な限りの整定時間の短縮を行う。

・綾野秀樹：「電力変換装置の高性能化に関する研究」

　電力用半導体素子を用いて電力の変換・制御を行う技術とその応用分野について，更なる高効率化，ノイズで低減な

どの高機能化に関する研究に取り組む。

・伊藤浩：「化合物半導体の基礎と応用に関する研究」

　Ⅲ-Ⅵ族化合物半導体のGaSeやGaSは層状結晶構造で強い異方性を示し，光学的特性に優れる。そこで，本研究ではGaSe

やGaSの光学デバイス化へ向けた薄膜結晶成長技術とデバイス化技術に関する研究を行なう。

・舘泉雄治：「バーチャル・リアリティ技術に関する研究」

　バーチャル・リアリティの要素技術であるリアルタイムシミュレーションと、ＣＧに関する研究を行う。シミュレーシ

ョンプログラムによって計算機の中に仮想世界を作り出し、それをＣＧでリアルタイムに表示する。

・玉田耕治：「緑色発光電子材料の基礎研究」

　高輝度青色ＬＥＤの出現によりフルカラーディスプレイの期待が高まっているが、純緑色の高輝度ＬＥＤはまだ開発段

階である。その可能性のある電子材料に関しての基礎研究を行う。

・新國広幸：「光集積回路センサに関する基礎研究」

　光集積回路センサは、レンズ、導波路等の光学部品をワンチップ上に集積化させた小型・軽量なセンサで、一括生産性

に優れる、電磁誘導の影響を受けないなどの特長を持つ。本研究では種々の光集積回路センサの開発に取り組む。

・青木宏之：「複素数型ニューラルネットワークの応用に関する研究」

　実数型ニューラルネットワークの拡張形である複素数型ニューラルネットワークのさまざまな分野への応用について検

討する。当面は通信システムや画像処理などの分野を取り上げて応用システムの検討を進める。

・大塚友彦：「画像処理に関する研究」

（続き）

教科目名	電気電子工学特別研究（２年） Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering

授業の内容

　画像処理を応用した生体認証に関する研究、画像処理など信号処理用のアプリケーション向けのVLSI設計に関する研究

を行う。

・小池清之：「ターボTCM方式の応用に関する研究」

　優れた伝送特性を有することで知られるターボTCM方式の実用化と各種通信路に対する適応性について、ハードウェア

の製作と実験を通して実証的に研究する。

・柚賀正光：「シリコン陽極酸化膜の成長挙動に関する研究」

　IC作成工程において酸化膜成長は不可欠である。通常この工程は1000℃以上の高温で行われる。本研究はこの工程を室

温付近で行うもので、良質の酸化膜成長が低温で可能になれば、材料の劣化がなく低コストのIC作成が可能になる。

・一戸隆久：「粒子線を用いた薄膜形成プロセスに関する研究」

　プラズマ、イオンビーム、ラジカル等の各種粒子線を用いて、非平衡条件下での薄膜形成や新材料創成に関する実験的

な研究を行う。

・加藤格：「環境浄化機能材料の特性評価と浄化プロセスの設計」

　環境中における有害物質を除去または無害化する機能性材料について特性評価を行い、そのデータを基に浄化プロセス

の基本設計を行う。

・永吉浩：「結晶Si太陽電池に関する研究」

　多結晶Si太陽電池用製造プロセスについて研究を進める。新開発の太陽電池製造プロセス用各種ペーストを用いた太陽

電池製作プロセスの研究、パッシベーション層の形成法の研究等を行い、最終的にデバイス特性の評価まで行う。

・安田利貴：「福祉機器の試作・評価に関する研究」

　福祉機器の開発過程におけるニーズ調査から，試作・評価を通して「福祉機器に関するものづくり」の基礎を習得す

る。

・水戸慎一郎：「磁気ホログラムメモリに関する研究」

　磁気ホログラムメモリ実現に向けたメディア開発、及び光学系の構築を行う。

教科書

補助教科書

履修上の注意

研究目的、研究方法を明確にして目的を十分達成できるように努力する。研究の節目で中間報告、最終のまとめのプレゼンテーションを行う。

評価基準

研究中に生じた問題を解決することができる．研究を通じて，新たな課題を発掘することができる．研究を通じて，創造性に富む目標を見出すことができる．評価法の各項目６０％以上で「合」と認定する．

評価法

研究達成度と研究態度，発表と要旨集，特別研究論文

学習・教育目標

東京高専

C-2,C-3,C-7,C-8,C-9,C-10,C-11,C-12,C-13,D-5

JABEE

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