| 授業の目標と概要 |
| 数千万のトランジスタを搭載した集積回路は産業の米とよばれ、半導体技術はエレクトロニクスの基礎をなしてい |
| る。本講では、半導体に関連した基礎的物理現象から、半導体デバイスの構造と特性、トンジスタ、基本回路までを |
| 開発の歴史と絡ませながら一貫して説明する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 本科で学習した固体電子工学、集積回路工学の基礎を理解しておくこと。 |
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| ・LSIの歴史、プロジェクト |
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| ・半導体物性の基礎（各種半導体、シリコン基板、pn接合） |
5.5 |
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| ・MOS構造（エネルギーバンド構造、しきい値電圧、CV特性） |
6 |
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| ・MOSトランジスタ（トランジスタの基本特性、トランジスタの詳細特性、しきい値電圧） |
3 |
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| ・MOSインバータ特性（MOSインバータの基礎、CMOSインバータ、CMOSインバータのスイッチング特性） |
3 |
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| ・MOS ICの構成要素（内部配線の抵抗と静電容量、内部配線のインダクタンス） |
3 |
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| ・MOSロジック回路（ロジック回路の概要、CMOSゲート回路、CMOSロジックの構成方法） |
3 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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本科で学習した固体電子工学、集積回路工学の基礎を理解しておくこと。授業の予習・復習及び演習については自学自習により取り組み学修すること。」
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| 評価基準 |
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半導体物性の基礎、半導体デバイス、MOSトランジスタの構造と特性など教科書レベルの内容が理解できること。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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