| 授業の目標と概要 |
| はじめに電子工学の各種応用分野を概観し、電子工学の分野における固体電子工学の位置づけを理解する。その後、 |
| 各種半導体素子の構造、静特性について理解し、半導体素子のバイアス法について計算できる能力を修得する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電子工学全般を概観する科目と位置づけられている。特に半導体工学、電子デバイス、電子回路の基礎修得のための |
| 科目となっている。 |
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| １．電子工学概論 |
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| 真空電子工学、気体電子工学、固体電子工学、液体電子工学などの基礎となる学問分野および関連技術 |
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| 分野についての概要を理解する。 |
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| ２．半導体材料の種類と基本的性質 |
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| 固体中のキャリアの振るまい、元素半導体と化合物半導体、真性半導体と不純物半導体などの半導体の |
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| 特質、種類について理解する。 |
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| ３．PN接合と特性 |
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| PN接合の構造、電気的特性を理解し、各種ダイオードの特徴、ダイオードによる回路の働きについて理 |
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| 解する。 |
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| ４．各種トランジスタの構造と電気的特 |
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| バイポーラトランジスタとFETの構造や電気的性質、静特性、並びに素子定数の意味を理解する。 |
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| ５．トランジスタ・ＦＥＴのバイアス回路 |
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| トランジスタ、ＦＥＴのバイアスの必要性と各種バイアス法の特徴およびバイアス設計について理解す |
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| る。 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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本講義と同時開講の電子工学実験では、各種半導体素子の静特性測定、バイアス回路設計、トランジスタ、FETの基本増幅回路の製作が用意されている。実験で得られた結果・特性は、本講義の内容と密接な関係があるので実験を通じ半導体素子の動作、静特性やバイアス法を理解を深める。
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| 評価基準 |
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電子工学の応用分野を理解し、固体基本素子の構造、特性を理解できる。また、これらの基本素子のバイアス設計法も修得し電子回路の基本動作について理解できる。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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