| 授業の目標と概要 |
| ｐｎダイオード、トランジスタ等の半導体デバイスの動作原理を物性論的な視点から理解できるようにする。量子 |
| 論、固体中の電子の振る舞いの基礎について理解を深め、半導体デバイスの動作原理基礎を理論的に理解できるよう |
| にする。固体論・半導体デバイス動作理論の基本的事柄について演習問題を通じて理解を深める｡ |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 3年まで学んだ物理、数学などの知識を基にして半導体の性質を電子論的に理解する。 |
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| 1.量子論概説、黒体輻射 |
3 |
| 黒体輻射、プランクの式、不確定性原理等の量子論の基本概念が理解できる。 |
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| 2.ボーア模型、 光電効果、電子波 |
3 |
| ボーアの原子模型、光電効果について量子論的視点から理解できる。 |
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| 3.シュレーディンガー方程式 |
3 |
| 電子波の数学的表現ができる。 |
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| 4.状態密度の計算 |
3 |
| シュレーディンガー方程式の基礎が理解できる。 |
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| 5.フェルミ分布関数 |
3 |
| 固体中の電子状態についての基礎的なことが理解できる。状態密度、フェルミ分布関数について理解で |
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| き |
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| る｡ |
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| 6.半導体中のキャリア濃度 |
4 |
| 7.半導体の抵抗率、ホール効果 |
4 |
| 半導体中のキャリア濃度、抵抗率、ホール効果について理解し、これらに関する基本的な問題が解ける。 |
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| 8.半導体中のキャリアの流れ |
6 |
| 半導体中のキャリアの流れについて理解できる｡ |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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電磁気学、物理学、微分方程式、熱統計力学についての基礎的な理解ができていることを前提とする｡
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| 評価基準 |
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量子論の基本概念を理解できていること、及び固体中の電子状態についての基礎が理解できていること。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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