国立東京工業高等専門学校 シラバス 国立東京工業高等専門学校トップページへ戻る シラバス 閲覧戻る
教科目名
集積デバイス工学
担 当 教 官 伊藤 浩、荒川 富行
学年、学科等 5年 電気工学科 通常講義
単位数 期間 選択 1 単位 前期 週2時間 (合計 30 時間)
授業の目標と概要
 集積回路は,あらゆる電子機器に組み込まれ,社会生活,家庭生活に浸透している。そして,集積回路技術は,
今後も社会生活,家庭生活,そして,日本の産業を支え続けると考えられる。本講座では,複雑化する集積回路
デバイスの,デバイス構造,製造プロセス,そして,回路の要所を理解することを目標とする。
カリキュラムにおける位置づけ
 電子物性Ⅰ,Ⅱ、アナログ回路Ⅰ,Ⅱ、ディジタル回路等で履修した半導体物性および電子回路の基本を理解してお
くこと。
授業の内容 時間
1. 集積回路の発展 30
2. 集積回路におけるバイポーラトランジスタの構造と電気特性および基本回路
3. 集積回路におけるMOSトランジスタの構造と電気特性
4. CMOSを使った基本回路
5. RAM,DRAM,ROM,フラッシュメモリ
6. 集積回路のパターン
7. 集積回路の材料の準備と工程
8. ホトリソとエッチング
9. 酸化技術と不純物拡散、洗浄技術
10. 金属膜と絶縁膜の成膜 
11. PN接合、MOSFETの作製
12. 組み立て・信頼性と検査
13. 集積回路の今後
   
   
   
   
教科書
プリントを配布する。
補助教科書
集積回路の秘密(上西勝三)日本理工出版会
履修上の注意
 電子物性Ⅰ,Ⅱ,アナログ回路Ⅰ,Ⅱ,ディジタル回路などで履修した半導体物性,および,電子回路の基本を理解しておくこと。
評価基準
授業内容を十分理解し,レポート課題の6割り以上の評価。
評価法
レポートなど100%,0%
学習・教育目標 東京高専
C-6
JABEE
(d)