| 授業の目標と概要 |
| 本講義では、半導体の結晶構造からバンド構造などの基本的な固体物理、さらには半導体の電気的・光学的性質に |
| ついて理論的に学ぶ。半導体特有の現象を定性的に理解した上で、定量的に捕らえる基礎理論を学ぶことを目的にす |
| る。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 本講義では、電子物性・デバイス分野で積み上げてきた内容を基礎に、専門性の高い学習内容となっている。 |
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| １．講義の内容説明，電子物性基礎の復習 |
2 |
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| ２．固体物理の基礎 |
6 |
| ・半導体の結晶構造 |
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| ・エネルギーバンド構造とキャリア密度 |
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| ３．半導体の電気物性 |
8 |
| ・電気伝導 |
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| ・電子散乱 |
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| ・高電界効果 |
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| ・半導体デバイスの物理 |
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| ４．半導体の光物性 |
8 |
| ・半導体の光吸収 |
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| ・半導体発光の物理 |
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| ・半導体における非線形光学 |
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| ５．半導体の熱電物性 |
4 |
| ・ゼーベック効果 |
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| ・ペルチェ効果 |
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| ・熱発電と電子冷凍 |
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| ６．半導体物性の課題演習 |
1.5 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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半導体デバイス（S.M.Sze，産業図書），半導体物性（小長井誠，培風館）
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| 履修上の注意 |
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電子物性の基礎事項から説明するが、時間配分から十分にできないため、不足分は自分で学習しておくこと。
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| 評価基準 |
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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