| 授業の目標と概要 |
| LSIは1948年のトランジスタ発明以来、シリコンという素材に恵まれ、製造プロセス技術と機器の改善、 |
| 新方式の開発などと周辺技術発達に支えられて今日の発展を遂げた。 |
| 本講ではその製造プロセス技術について原理から現状までの発展について講義する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電子回路I・II、固体電子工学I・IIと関連する。 |
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| 1. 本科目の概要説明 |
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| 2. 集積回路の誕生からLSIへ |
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| 3. LSI材料技術(ウェハーから薄膜材料について) |
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| 4. 基本プロセス技術(酸化、拡散、リソグラフィ、エッチング、成膜、平坦化) |
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| 5. 集積化プロセス技術(微細加工、素子分離、プラグ、多層配線) |
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| 教科書 |
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電子情報通信レクチャーシリーズ｢VLSI工学(製造プロセス編)｣ 角南英夫著 (コロナ社)
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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| 評価基準 |
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LSIの要素技術や集積化プロセス技術についての基本的な内容を理解していること
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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