| 授業の目標と概要 |
| 現代のエレクトロニクスを支えるのは，トランジスタ，集積回路やセンサー等に代表される半導体デバイスであ |
| る。半導体デバイスの動作を理解し，新半導体デバイスを開発するには半導体物性を理解する必要がある。以上の視 |
| 点にたって具体的な例題を中心とした半導体物性の基礎を講義する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 本講義の基本知識として基礎電子量子工学，電子物性I・IIの内容を理解した上で，半導体材料の基本的な物性理論か |
| ら，電子デバイスまで電子物性・デバイス分野の専門性の高い学習内容となっている。 |
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| １．講義の内容説明，電子物性基礎の復習 |
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| ２．固体物理の基礎 |
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| ・半導体の結晶構造 |
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| ・エネルギーバンド構造とキャリア密度 |
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| ３．半導体の電気物性 |
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| ・電気伝導 |
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| ・電子散乱 |
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| ・高電界効果 |
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| ・半導体デバイスの物理 |
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| ４．半導体の光物性 |
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| ・半導体の光吸収 |
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| ・半導体発光の物理 |
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| ・半導体における非線形光学 |
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| ５．半導体の熱電物性 |
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| ・ゼーベック効果 |
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| ・ペルチェ効果 |
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| ・熱発電と電子冷凍 |
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| ６．半導体物性の課題演習 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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半導体の物理（御子柴宣夫，培風館），半導体物性（小長井誠，培風館）
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| 履修上の注意 |
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基礎電子量子工学，電子物性I・Ⅱの内容を理解していること。
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| 評価基準 |
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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