| 授業の目標と概要 |
| LSIは、1948年にトランジスタ発明以来、シリコンという素材に恵まれ、製造プロセス技術と機器の改善、 |
| 新方式の開発などと周辺技術発達に支えられて今日の発展を遂げた。LSI技術は、いまやエレクトロニクス |
| に関わる技術者にとって必須な技術となっている。本講では製造プロセス技術を中心に原理から現状まで |
| の発展、位置付け、種類、特許などについて講義する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
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| 1. ガイダンス、集積回路の誕生からLSIへ |
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| 2. 半導体の基礎知識とバイポーラトランジスタ |
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| 3. MOSFETとCMOS論理回路、半導体メモリー |
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| 4. LSI材料技術(ウェハーから薄膜材料について) |
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| 5. LSI製造プロセス技術(酸化、拡散、フォトリソ、エッチング、成膜技術) |
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| 6. 集積回路実装技術と信頼性技術 |
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| 7. MOSFETの動作限界とLSIの将来 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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事前に回路の基礎、電子デバイスの基礎を復習しておくこと
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| 評価基準 |
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集積回路素子の構造、基本ゲートの要所、CMOSLSIの製造工程を理解していることを基準とする
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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