| 授業の目標と概要 |
| エレクトロニクスの基本となす半導体デバイス技術は電子材料固有の性質を応用できる半導体材料の作製が |
| 要求されている。電子プロセス工学では主にシリコン半導体材料の作製技術を紹介しながら、電子材料の作製 |
| 方法が基になっている物理的・化学的な考え方を重要視して解説する。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電気電子工学の中でも，半導体工学における電子デバイスの応用プロセス技術の内容であり，電子デバイスの |
| 基礎知識を十分学んだ者が受講する専門性の高い講義として位置づけられる。 |
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| １．シリコン半導体と集積回路の概要 |
29. |
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5 |
| ２．シリコン基板作製技術 |
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| ３．酸化膜作製技術 |
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| ４．不純物作成技術 |
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| ５．フォトリソグラフィー技術とエッチング技術 |
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| ６．集積回路技術とデバイス技術 |
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| ７．LSI技術の動向 |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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「半導体デバイス」S.M.Sze, 「ULSIデバイス・プロセス技術」電子情報通信学会
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| 履修上の注意 |
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１学年次の半導体工学特論、実験で学習した内容は十分に理解しておくこと。講義用ノートは各自用意すること。講義前に十分な内容の確認をする積極的姿勢を求める。
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| 評価基準 |
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講義内容を理解し，教科書レベルの問題で６０点以上とれること。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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