国立東京工業高等専門学校 シラバス 国立東京工業高等専門学校トップページへ戻る シラバス 閲覧戻る
教科目名
設計製図
 
担 当 教 官 石井 宏幸
学年、学科等 5年 物質工学科 通常講義
単位数 期間 必修 1 単位 前期 週2時間 (合計 30 時間)
授業の目標と概要
化学プラント(実験装置を含む)を建設するには、研究開発から設計、工事、試運転に至るまで様々な工程を経る。
そこで、先ずこれら様々な工程をしることによって、実際の化学プラントの建設技術を総合的に把握する。
カリキュラムにおける位置づけ
化学工学Ⅰ、Ⅱ、Ⅲで修得した種々の装置において実際がどのようになっているか、プラント設計・製作にはどのよ
うなステップが必要かを修得する。
授業の内容 時間
1.プロセス設計の概要
(1)プロセス開発・選択・工業化 4
(2)プラントレイアウト 4
(3)オンサイト設備のプロセス設計 6
プロセス開発から基本設計までの内容を知る。
(1)プロセス開発、選択、工業化の手順を知る。
(2)プラントレイアウトの考え方を知る。
(3)P&ID、PFDの内容を知る
2.機器設計と詳細設計 5
(1)機器データシート 6
(2)配管設計 4.5
(3)その他プラント建設での重要事項
(1)塔槽、熱交換器等のデータシートに記述されていることを理解する。
(2)配管設計及び、配管図を演習にて作成する。
(3)プロジェクト管理、オフサイト設備等について知る。
前期末試験 0.5
   
   
   
   
   
   
   
教科書
早川豊彦、工業管理技術、実教出版
補助教科書
化学プラント建設便覧、著者:玉置 明善、発行所:丸善
履修上の注意
毎回配布するプリントを自己管理すること。十分な復習と積極的姿勢を求める。
評価基準
機器データシート記載内容およびプロジェクト管理、オン・オフサイト設備について理解と配管図のアイソメ図が作成、理解できること(定期試験で60点以上合格)
評価法
定期試験100%
学習・教育目標 東京高専
C-2,C-9
JABEE
(d)(e)(h)