教科目名
材料工学Ⅱ
担 当 教 官
：
菊地 章
学年、学科等
：
5年
物質工学科
通常講義
単位数 期間
：
必修
1 単位
前期
週2時間
（合計 30 時間）
授業の目標と概要
先端技術の進歩は目覚しく、技術の発展は新材料の開発の成否にかかっている。このような時代の要請に伴い種々の機能性を有
する新材料、新素材のうちで、薄膜のニーズや重要性が増大している。本講では、機能性材料工学の立場から、真空技術の基
礎、半導体基礎、薄膜の基本技術、評価法について解説する。
カリキュラムにおける位置づけ
材料工学Ⅰに関連する。
授業の内容
時間
１． 歴史的発展と科学的意義
2
材料の性質
２．真空技術の基礎
6
真空の性質、
真空を作る、
真空を測る
３．半導体基礎
6
半導体材料
製造工程
４． 薄膜の基本技術（１）
4
薄膜の基礎物性
薄膜作製の基礎
５． 薄膜の基本技術（２）
6
物理的気相成長法、
化学的気相成長法、
スパッタ法
６．薄膜の性質と測定・評価法
5
構造
電気的性質
機械的性質
（続き）
教科目名
材料工学Ⅱ
授業の内容
時間
学年末試験
0.5
教科書
補助教科書
履修上の注意
技術、実技を伴うので専用ノート
評価基準
新素材開発へ向けた薄膜の基本技術の会得。
評価法
定期試験80%，レポートなど20%
学習・教育目標
東京高専
C-2,C-3,C-4,C-5,C-6,C-9,C-13
JABEE
(c)(d)(e)(h)
