| ・伊藤浩：「化合物半導体の基礎と応用に関する研究」 |
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| Ⅲ-Ⅵ族化合物半導体のGaSeやGaSは層状結晶構造で強い異方性を示し，光学的特性に優れる。そこで，本 |
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| 研 |
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| 究ではGaSeやGaSの光学デバイス化へ向けた薄膜結晶成長技術とデバイス化技術に関する研究を行なう。 |
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| ・柚賀正光：「シリコン陽極酸化膜の成長挙動に関する研究」 |
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| IC作成工程において酸化膜成長は不可欠である。通常この工程は1000℃以上の高温で行われる。本研究は |
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| こ |
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| の工程を室温付近で行うもので、良質の酸化膜成長が低温で可能になれば、材料の劣化がなく低コストのIC |
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| 作 |
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| 成が可能になる。 |
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| ・青木宏之：「複素数型ニューラルネットワークの応用に関する研究」 |
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| 実数型ニューラルネットワークの拡張形である複素数型ニューラルネットワークのさまざまな分野への応 |
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| 用 |
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| について検討する。当面は通信システムや画像処理などの分野を取り上げて応用システムの検討を進める。 |
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| ・小池清之：「ターボTCM方式の応用に関する研究」 |
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| 優れた伝送特性を有することで知られるターボTCM方式の実用化と各種通信路に対する適応性について、ハ |
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| ードウェアの製作と実験を通して実証的に研究する。 |
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| ・鹿毛哲郎：「VLSIインタコネクト解析技術の研究」 |
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| VLSIの高集積化にともない、信号伝搬における信号保全が問題になっている。VLSIの信号伝搬解析を行う |
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| た |
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| め、大規模回路の縮約・解析技術について研究を行う。 |
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| ・谷田部喜久雄：「アモルファス半導体薄膜の光センサーへの応用」 |
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| ＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスを用いa-Si1-xＣx:H薄膜を作製し、可視から紫外域の任意の、ある波長に最高 |
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| 感 |
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| 度を示す光センサーの作製条件について研究する。 |
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| ・大塚友彦：「画像処理に関する研究」 |
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| 画像処理を応用した生体認証に関する研究、画像処理など信号処理用のアプリケーション向けのVLSI設計 |
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| に |
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| 関する研究を行う。 |
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| ・加藤格：「環境浄化機能材料の特性評価と浄化プロセスの設計」 |
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| 環境中における有害物質を除去または無害化する機能性材料について特性評価を行い、そのデータを基に |
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| 浄 |
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| 化プロセスの基本設計を行う。 |
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| ・永吉浩：「結晶Si太陽電池に関する研究」 |
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| 多結晶Si太陽電池用製造プロセスについて研究を進める。新開発の太陽電池製造プロセス用各種ペースト |
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| を |
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| 用いた太陽電池製作プロセスの研究、パッシベーション層の形成法の研究等を行い、最終的にデバイス特性 |
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| の |
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| 評価まで行う。 |
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| ・一戸隆久：｢粒子線を用いた薄膜形成プロセスに関する研究｣ |
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| プラズマ、イオンビーム、ラジカル等の各種粒子線を用いて、非平衡条件下での薄膜形成や新材料創成に |
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| 関する実 |
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| 験的な研究を行う。 |
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