| 授業の目標と概要 |
| ｐｎダイオード、トランジスタ等の半導体デバイスの動作原理を物性論的な視点から理解できるようにする。量子 |
| 論、固体中の電子の振る舞いの基礎について理解を深め、半導体デバイスの動作原理基礎を理論的に理解できるよう |
| にする。固体論・半導体デバイス動作理論の基本的事柄について演習問題を通じて理解を深める｡ |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 固体電子工学Iで学んだ固体電子論の内容を基にして半導体デバイスの動作原理を物性論的視点から理解する。 |
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| 9.キャリアの発生再結合 |
4 |
| キャリアの発生再結合について理解し、関連した問題が解ける。 |
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| 10.ｐｎ接合 |
10 |
| ｐｎ接合の理論について理解できる。 |
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| 11.ｐｎ接合ダイオード |
6 |
| 実際のデバイスであるｐｎ接合ダイオードの特性について物性論的な視点から理解できる。 |
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| 12.ＭＯＳダイオード |
5 |
| ＭＯＳダイオードの基礎理論について理解できる｡ |
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| 13.バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ |
4 |
| バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴの動作特性について、物性論的視点から理解できる｡ |
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| 教科書 |
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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電磁気学、物理学、微分方程式、熱統計力学についての基礎的な理解ができていることを前提とする｡
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| 評価基準 |
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半導体中のキャリアの振る舞いを理解できている。半導体デバイスの動作原理をバンド図を利用して説明できる。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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