| 授業の目標と概要 |
| 半導体製造、マイクロマシン等のナノメートルサイズの加工に関する超精密切削、超精密研削、超精密研摩、リソグラ |
| フ、エッチング、PVD、CVD技術を学び卒業研究における機械設計・機械製作技術へ導入できることを目標とする。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 機械工作分野における専門応用科目の位置づけ。機械製作実習(1,2年次履修)により実際の機械加工技術を実習し、機 |
| 械製作法A,B(4年次履修)で学んだ切削、研削、研摩技術をより高精度化、精密化した半導体製造方法を学ぶことでメー |
| トルサイズからナノメートルサイズまでの機械加工技術を体系化に網羅する。半導体やセンサなどの機能材料(5年次履 |
| 修選択科目)への超精密加工技術に関する知識を提供する。 |
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| 1.精密加工について |
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| 1.1精密加工の意味 1.2精度の向上 1.3精密測定、分析技術(電子顕微鏡、X線回折) |
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| 2.半導体製造工程 |
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| 2.1シリコン製造 2.2切断 2.3研削、研摩 2.4露光 2.5ダイシング 2.6ボンディング 2.7モールディング |
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| 3.リソグラフ |
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| 3.1 光露光 3.2縮小投影露光 3.3X線露光 3.4電子ビーム露光 |
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| 4.エッチング |
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| 4.1 湿式エッチング 4.2プラズマエッチング 4.3スパッタエッチング 4.4イオンビームエッチング |
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| 5.ドーピング |
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| 5.1熱拡散 5.2イオン注入 |
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| 6.薄膜の性質と成膜法 |
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| 6.1薄膜とは 6.2成膜法 6.3薄膜成長 6.4薄膜の性質 6.5 付着強度 |
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| 7.気相成長・CVD |
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| 7.1熱CVD 7.2プラズマCVD 7.3光CVD 7.4MOCVD 7.5メタルCVD |
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| 8.PVD |
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| 8.1真空蒸着 8.2イオンプレーティング 8.3スパッタリング |
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| 9.MEMS |
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| 9.1マイクロマシン 9.2フォト・ファブリケーション 9.3エッチング 9.4ナノインプリンティング |
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| 10.表面処理 |
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| 10.1電気めっき 10.2電鋳 10.3平坦化技術 |
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| 教科書 |
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超微細化工の基礎 電子デバイスプロセス技術 麻蒔立男著 日刊工業新聞社
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| 補助教科書 |
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| 履修上の注意 |
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機械製作法A,B、応用物理、電子工学を履修していること。
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| 評価基準 |
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試験およびレポートにより半導体の製造プロセスと半導体装置の特徴についての資料調査能力を有し、精密加工としての除去加工、付加加工について簡単に説明できることを基準とする。
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| 評価法 |
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| 学習・教育目標 |
東京高専 |
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JABEE |
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