国立東京工業高等専門学校 シラバス 国立東京工業高等専門学校トップページへ戻る シラバス 閲覧戻る
教科目名
集積デバイス工学
 
担 当 教 官 伊藤 浩、青柳 稔
学年、学科等 5年 電気工学科 通常講義
単位数 期間 選択 1 単位 前期 週2時間 (合計 30 時間)
授業の目標と概要
 集積回路は,あらゆる電子機器に組み込まれ,社会生活,家庭生活に浸透している。そして,集積回路技術は,
今後も社会生活,家庭生活,そして,日本の産業を支え続けると考えられる。本講座では,複雑化する集積回路
デバイスの,デバイス構造,製造プロセス,そして,回路の要所を理解することを目標とする。
カリキュラムにおける位置づけ
 電子物性・デバイス分野における半導体の応用技術に関する内容
授業の内容 時間
1.集積回路の発展 29.5
2.集積回路におけるバイポーラトランジスタの構造,特性,および,基本回路
3.集積回路におけるMOSトランジスタの構造,および,特性
4.CMOSを使った基本回路
5.RAM,DRAM,ROM,フラッシュメモリ
6.集積回路のパターン
7.集積回路の設計および材料の準備と工程
8.酸化膜と不純物拡散
9.金属膜と絶縁膜の成膜
10.ホトリソとエッチング
11.クリーン化と洗浄
12.組み立て・信頼性と検査
前期末試験 0.5
   
   
   
   
   
教科書
集積回路の秘密(上西勝三)日本理工出版会
補助教科書
履修上の注意
 電子物性Ⅰ,Ⅱ,アナログ回路Ⅰ,Ⅱ,ディジタル回路などで履修した半導体物性,および,電子回路の基本を理解しておくこと。
 ”集積回路のパターン”について学習する際に色鉛筆を使用する。
評価基準
教科書の内容を十分理解し,章末問題レベルを60点以上とれること。
評価法
定期試験80%,レポートなど20%
学習・教育目標 東京高専
C-6
JABEE
(d)