| 授業の目標と概要 |
| 現代のエレクトロニクスを支えるのは，トランジスタ，集積回路やセンサー等に代表される半導体デバイスである。 |
| 半導体デバイスの動作を理解し，新半導体デバイスを開発するには半導体物性を理解する必要がある。以上の視点に |
| たって具体的な例題を中心とした半導体物性の基礎を講義する。 |
|
| カリキュラムにおける位置づけ |
| 電子物性・デバイス分野における半導体の固体物理・物性を学ぶ専門性の深い講義。 |
|
|
|
| １．結晶内の電子のエネルギー帯構造 |
10 |
|
|
| ２．半導体の電気伝導 |
5 |
|
|
| ３．接合の物理と物性 |
4.5 |
| |
|
| ４．半導体の光学的性質 |
6 |
| |
|
| ５．その他の特性 |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
| 教科書 |
|
| 補助教科書 |
|
半導体物性（菅野卓雄，電気学会），半導体物性（小長井誠，培風館）
|
|
| 履修上の注意 |
|
基礎電子量子工学，電子物性I・Ⅱの内容を十分に理解していること。
|
|
| 評価基準 |
|
| 評価法 |
|
| 学習・教育目標 |
東京高専 |
|
JABEE |
|
