| 授業の目標と概要 |
| 物性工学は新機能デバイスや新製品開発において極めて重要な分野である。電子デバイス動作の基礎となる固体内 |
| での電子の振る舞いを学ぶ。一昨年度カリキュラムが一斉に変更になり、過渡的な状況であるので、電子物性に加え |
| て電子デバイスの基礎的な内容も盛り込む。 |
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| カリキュラムにおける位置づけ |
| 本学科のカリキュラムは情報・通信、電子物性・デバイス、エネルギー・制御の３分野で構成されており、本科目 |
| は電子物性・デバイス分野に位置している。電子物性の基礎的な科目を理解した上で、固体内の電子の振る舞いを学 |
| ぶ。 |
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| ０．イントロダクション |
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| １．真空の電子 |
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| 粒子としての電子，電子の波動性 |
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| ２．固体中の電子 |
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| 原子のエネルギー準位，固体中の価電子の振る舞い |
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| ３．電気伝導と伝導体の種類 |
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| 電気伝導のメカニズム，絶縁体，半導体，移動度 |
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| ４．半導体中のキャリア濃度 |
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| フェルミ準位，真性半導体，不純物半導体，ホール効果 |
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| ５．pn接合の電気的特性 |
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| pn接合の物理，pn接合を流れる電流，逆方向飽和電流 |
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| ６．バイポーラトランジスタ |
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| 基本構造，トランジスタ作用，電気的特性 |
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| ７．電界効果トランジスタ |
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| 基本構造，動作メカニズム，電気的特性 |
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| ８．集積回路 |
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| 集積回路の意義，回路素子の実現方法，具体例 |
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| ９．オプトエレクトロニクス |
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| 化合物半導体，光−電気変換素子，電気−光変換素子 |
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| １０．プロセス技術 |
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| プレーナプロセスの特徴，前工程，後工程，周辺技術 |
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